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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPW65R190CFD 

产品描述

MOSFET CoolMOS 650V 190mOhm CFD2 N-Chan MOSFET

内部编号

173-IPW65R190CFD

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:56
4+¥20.5295
20+¥19.228
100+¥18.3065
200+¥18.126
500+¥17.955
最小起订量:4
英国伦敦
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#2

数量:100
4+¥20.5295
20+¥19.228
100+¥18.3065
200+¥18.126
500+¥17.955
最小起订量:4
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#3

数量:194
1+¥21.8806
10+¥18.5985
100+¥16.0686
250+¥15.2481
500+¥13.6754
1000+¥11.4873
2500+¥10.9403
5000+¥10.0514
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPW65R190CFD产品详细规格

规格书 IPW65R190CFD datasheet 规格书
IPx65R190CFD
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 240
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 650V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 17.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 190 mOhm @ 7.3A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4.5V @ 730µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 68nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1850pF @ 100V
功率 - 最大 151W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3
包装材料 Tube

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